第二百七十一章 成功了！光刻工厂实现了！（1 / 2）
3纳米极紫外光？
检测光束设备给出的数据反馈让所有人大吃一惊，3纳米的极紫外光束，这岂不是说他们即将具备制造3纳米芯片的条件？
众所周知，在不考虑《多重曝光技术》的情况下，想要刻出几纳米级的芯片，就要先制造出多少纳米的紫外光光源。
193纳米的深紫外光还好说，大自然里面也能找得到，但13.5纳米及以下的极紫外光，那就必须由人为创造。
深紫外光和极紫外光，和分别对应了DUV光刻机和EUV光刻机，后者现在还处于禁止出口龙国的设备清单里面。
一旦这束光源被证实，确实是可以运用于光刻的极紫外光，那么整个芯片行业都将被颠覆。
“真是3纳米吗？”
夏扬神色激动，向前一步。
他大学虽然学的不是半导体，但这并不代表他不懂芯片制造。
想要光刻14纳米芯片，就要制造13.5纳米波长的极紫外光，这在各种半导体咨询媒体铺天盖地宣传下，早已经人尽皆知。
3纳米波长？
岂不是能刻3纳米芯片？
雷兵也忍不住上前一步，询问道：“这束光能用吗？如果能用是不是意味着我们能造3纳米芯片了？”
现在主流芯片是14纳米，无论是龙兴科技的SOC上帝芯片，还是苹果公司的A9s仿生芯片，亦或者说是髙通公司刚刚推出的骁龙821芯片，它们都是14纳米制程，根本够不着3纳米的边边。
要是真能造3纳米芯片，那可不是小小的科技震撼，而是向整个半导体芯片行业扔了个蘑菇弹，要颠覆整个行业的事情了。
“不能这样说。”
陈星从震撼中回过神，给雷兵与夏扬讲解道：“具备光源还不够，如果真要造3纳米芯片，我们还要经历芯片设计与研制光刻胶。”
在半导体领域，可不仅仅光刻机和紫外光有纳米等级，光刻胶同样有纳米等级区分。
像目前龙兴化工研制的1号光刻胶，它的曝光波长就在193纳米，最高支持7纳米芯片制造，这还是有多重曝光技术加持的情况下。
想要制造出3纳米芯片，3纳米极紫外光、3纳米芯片电路设计、3纳米曝光波长光刻胶缺一不可，这也是为什么，芯片纳米等级推进缓慢的原因。
每推进一步，都需要各行业跟进，一旦说光刻胶不行，那有极紫外光和电路设计图也没用。
正因为技术门槛高，大洋彼岸才能用芯片做文章。
“总裁说得没错。”林天也给予了肯定，他回头看向两位局长道：“现在说3纳米芯片还为时过早，不过我们可以先试试这13.5纳米波长的极紫外光，看看它能不能满足芯片生产需求。”
“这句话在理。”
“确实是我们操之过急了。”
雷兵和夏扬点了点头。
他们属于是懂一点，但并不知道半导体芯片领域可不仅仅只有极紫外光，还有N多的细枝末节，只有全部攻克才能造出芯片。
“趁着天没亮，我们尽快测试光束的可行性吧。”陈星提醒一句。
他们现在可是关了全深城的电力供应，哪怕是凌晨4点钟，但依然会对城市造成影响。
“我马上操作。”
林天点了点头回应道。
刚说完，他立马看向设备操控台，开始输入指令，时不时还跑到一侧去操作。
光刻工厂不同于光刻机，它更像是一条完整的自动化流水线，只需要装填半导体硅片以及光刻胶与配套试剂，输入指令后就可以进行自动化生产。
林天在检验了十几束13.5纳米波长的极紫外光后，也发现了单色性最好的一条光束，将它设定为1号光刻区域。
又经过了十分钟的参数调试，排除外故障情况，林天输入了确定工作的指令。
下一秒。
运输装置自动取片。
存放在特定区域的半导体硅片被静电吸盘吸起，运送到清洗区域，洗掉附着在半导体硅片表面的灰尘和杂质。
在清洗完成以后，半导体硅片会通过特殊运输通道，运往下一個步骤进行烘烤，待半导体硅片彻底干燥将继续运往下一个步骤，涂抹光刻胶。
自动取片。
自动清洗。
自动涂胶。
自动光刻。
这就是光刻工厂，亦或者说光刻全自动工厂。
两块光掩膜版已经重叠，他们在特定
这也是为什么第一期的光刻工厂只有5000平的原因，因为建造太大也没用，像静电吸盘和各类自动化运输的设备，都是需要定制化购买的，关键有些设备国内还没有，比如静电吸盘设备。
第一期相当于测试，等测试通过就可以扩建二期、三期甚至是第四期的光刻工厂。
当然了。
前提是可以能光刻成功。
“我们没有单独完整的SOC上帝芯片光掩膜版，只能用两块阴阳掩膜版堆叠在一块形成完整图案，这又会出现个问题。”
林天喃喃自语。
像似给陈星几人解释，又像似说给自己听。
“那就是两块光掩膜版堆叠，两块透明基板会削弱极紫外光能量，导致光刻失败。”
“为了解决这个问题，我加大了粒子加速器的功率，让电子运动的速度再次增加。”
“理论上来说，运行功率的加大，会同步放大电子运动的速度，电子在环形存储器的速度越快，辐射出的极紫外光能量就越强，但我并不能确定这个数值是不是正确的，只能说理论可行。”
光刻工厂没有人测试过，谁也不知道行不行。
现在又因为光掩膜版限制，林天只能加大功率，这给测试又增添了不小的难度。
“试试就知道了。”
陈星默默举起手机拍摄。
虽然他们在操控室，但面前的屏幕有显示洁净室的画面，根本不需要亲自前往。
林天微微颔首，没有说话，他双眸注视着监控画面，神色也显得格外紧张。
烘干冷却，涂满光刻胶的半导体硅片已经被运往了光刻区域，只剩下最后的光刻步骤。
随着透镜组移动到指定位置，13.5纳米波长的极紫外光发生了折射，精准地照射在两块图案互补的光掩膜版上，而光掩膜版上面的完整图案被照射后，最终落到待曝光的半导体硅片表面。
“滋——”
ArF光刻胶遇到光源，内部开始发生化学反应。
而ArF光刻胶又分正胶和反胶，这次曝光用的是正胶，被曝光区域的光刻胶会发生化学反应，没曝光区域则不受到影响。
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